Сегодня компания Hynix Semiconductor сообщила о том, что начала выпуск микросхем памяти DDR3 плотностью 1 Гбит второго поколения.
Производство новинки осуществляется по 54-нанометровой технологии.
Новые микросхемы предназначаются для использования при стандартном напряжении питания 1,5 В. Вместе с тем, их энергопотребление на 30% меньше, чем у микросхем первого поколения.
Замечу, что снижение энергопотребления никак не отразилось на показателях быстродействия: по данным компании, новые продукты являются наиболее быстродействующими среди микросхем памяти плотностью 1 Гбит, которые сейчас составляют основу поставок.
Напомню, что на микросхемы плотностью 1 Гбит приходится 87% объема поставок памяти DDR3. Лишь в 2011 году они уступят первенство микросхемам большей плотности.
Массовый выпуск новой памяти начался в этом месяце. Доступно 2 варианта изделия: с четырёхразрядной (H5TQ1G43TFR) и восьмиразрядной (H5TQ1G83TFR) логической организацией.