Сегодня компании Intel и STMicroelectionics объявили о том, что у них готовы прототипы новой памяти PRAM. Устройство получило название Alverstone и обладает большой скоростью чтения, а также записи данных, чем обычная флеш-память при пониженном энергопотреблении и намного меньшей стоимости за мегабайт.
Ещё отмечу, что показатели PRAM в 1000 раз выше аналогичных показателей у флеш-памяти. Сами разработчики уже окрестили свою новую технологию называют технологию, которая использовалась для создания Alverstone, самым значительным прорывом в отрасли за последние 40 лет.
Замечу, что разработка новых видов памяти велась двумя компаниями с 2003 года. В 2004 году на суд общественности были вынесены восьмимегабитные массивы памяти с размером элемента, не превышающим 180 нанометров.
В 2006 году Alverstone был переведён на 90-нанометровый технологический процесс, его объём памяти возрос до 128 мегабит.