Пользователи увидели 22-нанометровую память

Сегодня компании IBM, Toshiba и AMD представили первую в мире ячейку памяти SRAM, которая была создана с соблюдением 22-нанометровой технологии.
Напомню, что впервые она была анонсирована в конце августа этого года.
Площадь 22-нанометровой ячейки памяти SRAM составила всего 0,128 квадратного микрометра. Напомню, что до этого площадь самой маленькой ячейки памяти SRAM составляла 0,274 квадратного микрометра. Площадь ячейки SRAM процессоров Intel, которые были выполнены по 45-нанометровому техпроцессу, составляет 0,346 квадратного микрометра.
В основе 22-нанометровой ячейки памяти SRAM лежат транзисторы типа FinFET, которые создавались по технологии high-k/metal gate. Она подразумевает замену диоксида кремния в электроде затвора транзистора на сплав гафния. Это позволяет уменьшить размер транзистора.
Нет информации о том, когда же начнётся выпуск 22-нанометровой памяти.
Замечу. что модуль памяти SRAM являются частью процессора. Он служит для временного хранения данных, которые обрабатываются чипом.